潇河新城光储直柔 LED 照明系统关键技术研究
工程概况 为配合国务院《2030年前碳达峰行动方案》加快推进城乡建设绿色低碳发展,本工程以位于山西转型综合改革示范区潇河产业园区作为先行试点,建设集光伏发电、储能、直流配电、柔性用电于一体的“光储直柔”建筑,如图1所示。本项目中,光储直柔系统主要供给潇河国际会展中心中间组团的地下车库LED灯具的平时照明,会展中心平面图如图2所示。光储直柔中的“光”指的是分布式光伏,本项目在北部会展A4屋面铺设光伏板;“储”指的是分布式储能,本系统选择铅酸电池作为系统的后备应急电源;“直”指低压直流配电系统,本系统设置DC 750 V和DC 220 V两个电压等级;“柔”指的是柔性控制技术,本系统是指控制直流母线电压实现建筑对电网的柔性可调。
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低压球泡灯 输入36V 输出 3V 2.5A AP5160 DCDC降压恒流芯片 LED驱动方案
AP5160 是一款效率高,稳定可靠的 LED 灯恒流驱动控制芯片,内置高精度比较器,固定关断时间控制电路,恒流驱动电路等,特别适合大功率 LED 恒流驱动。AP5160 采用 SOT23-6 封装,通过调节外置电流检测的电阻值来设置流过 LED 灯的电流,从而设置 LED 灯的亮度,外驱 MOS 管最大输出电流可达 7.5A。AP5160 采用固定关断时间的峰值电流控制方式,其工作频率最高可达 300KHz,可使外部电感和滤波电容体积减小,效率提高,节省 PCB 面积,关断时间最小为 620ns,并可通过外部电容进行调解,工作频率也可根据用户要求进行调节。在 EN 端加 PWM 信号,可调节 LED 灯的亮度。
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AP6934 PWM降压型 恒流恒压 三节锂电池充电管理芯片
AP6934是PWM降压型锂电池充电管理芯片,具有恒流恒压充电模式。恒流充电电流由连接于CSP管脚和BAT管脚之间的电流检测电阻RCS设置,在恒压充电模式,电池电压为12.6V,精度为1%。当VCC管脚电压大于低压锁存阈值,并且大于电池电压时,充电器正常工作,对电池充电。如果电池电 压低于8.4V,充电器自动进入涓流充电模式,此时充电电流为所设置的恒流充电电流的15%。当电池电压 大于8.4V,充电器进入恒流充电模式,此时充电电流由内部的200mV基准电压和一个外部电阻RCS设置, 即充电电流为200mV/RCS。当电池电压继续上升接近恒压充电电压时,充电器进入恒压充电模式,充电电 流逐渐减小。当充电电流减小到EOC管脚电阻设置的值时,充电结束,DRV管脚输出高电平。漏极开路 输出 管脚内部的晶体管关断,输出为高阻态;另一个漏极开路输出 管脚内部的晶体管接通, 输出低电平,以指示充电结束状态。在充电结束状态,如果断开输入电源,再重新接入,将开始一个新的充电周期;如果电池电压下降到再 充电阈值12V,那么也将自动开始新的充电周期。当输入电压掉电时,AP6934自动进入睡眠模式,内部电路被关断。为了监测电池温度,需要在TEMP管脚和GND管脚之间连接一个10k?的负温度系数的热敏电阻。如果电 池温度超出正常范围,充电过程将被暂停,直到电池温度回复到正常温度范围内为止。AP6934内部还有一个过压比较器,当BAT管脚电压由于负载变化或者突然移走电池等原因而上升时,如 果BAT管脚电压上升到恒压充电电压的1.08倍时,过压比较器动作,关断片外的P沟道MOS场效应晶体管, 充电器暂时停止,直到BAT管脚电压回复到恒压充电电压以下。在某些情况下,比如在电池没有连接到 充电器上,或者电池突然断开,BAT管脚的电压可能会达到过压保护阈值。此为正常现象。充电电流和充电电压示意图
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LED电动摩托车灯驱动方案12-80V 9V/3A AP2400 DC-DC降压恒流IC
1,做一款三功能LED车灯驱动方案 AP2400 是一款 PWM 工作模式,高效率、外围简单、外驱功率管,适用于 输入的高精度降压 LED 恒流驱动芯片。外驱 MOS,最大输出电流可达 6A。AP2400 可实现三段功能切换,通过 MODE1/2/3 切换三种功能模式:全亮,半亮,爆闪AP2400 工作频率固定在 150KHZ 左右,同时内置抖频电路,可以降低对其他设备的 EMI 干扰。另外采用平均电流采样模式,可以提高宽输入电压情况下的电流精度。AP2400 带有输出短路保护功能,输入条件下,短时短路不会损坏电源器件。AP2400 还有过温调节电流的功能。当芯片内部的温度达到 140℃左右时,会自动调低输出电流。
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AP9196 DC-DC升压恒流电源芯片 电解水富氢水杯水机 充电电解方案原理图
AP9196 是一系列外围电路简洁的宽调光比升压调光恒流驱动器,适用于 3-40V 输入电压范围的 LED照明领域。AP9196 采用我司专利算法,可以实现高精度的恒流效果,输出电流恒流精度≤±3%,电压工作范围为5-40V,可以轻松满足锂电池及中低压的应用需求,输出耐压仅由MOS 耐压决定。芯片内部有本司专利的高精度恒流算法,确保 VIN的上电时间<500ms。PWM 调光信号内部转模拟,调光全程无频闪,支持1K 以上的调光频率,调光比 100:1。当 EN/DIM 拉低到 GND 超过 40ms,芯片自动进入休眠模式以降低功耗,此时待机电流<2uA,当 EN/DIM 端口拉高以后芯片重新启动。EN/DIM 管脚不能悬空,不使用时应与VIN 管脚短接在一起。芯片的输出电流通过 IFB 端口电阻来设定。支持过温降电流和输出过压保护
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