想请教一下大家,是不是小变比CT的饱和特性就差,对保护有什么影响,用什么来判断CT的饱和特性
想请教一下大家,是不是小变比CT的饱和特性就差,对保护有什么影响,用什么来判断CT的饱和特性
2楼
CT的保护和测量两个铁芯是分开的。测量铁芯易饱和是为了保证测量精确,铁芯磁通饱和后二次电流将不再随一次电流成比例增加,这个限值就是仪表上标注的保安系数。相反,保护铁芯就不易饱和。
CT一次绕组的电动力与一次安匝的平方成正比,额定一次电流较小的经常靠增加一次匝数提高精确度。小变比CT只是安匝数增加随之加大了电动力,给产品的动稳定带来困难。
我也是听别人说的,也可能不准确。还得请[互感器]来解答。
回复
3楼
小变比CT如果安匝数做得够大,也一样具有好的保护特性。
判断CT的饱和特性可以用伏安特性测试仪进行测试,型式试验中用直接法进行测试。
回复
4楼
我印象中保护和测量CT一般是分开的?测量精度高,但范围窄;保护CT在大电流下还能保持一定精度。
回复
5楼
不能这么说,小变比的饱和特性也好,因为在设计时,小电流下二次线圈也具有很好的饱和特性,才能满足用户要求,但要实现很高的精度不容易,因为误差与一次安匝成正比。在实验中,要检测CT的饱和特性不容易做到,因为像一个5P20的二次线圈,电流要升到一次的20倍是不可能的,只有通过间接的方法检测出,也就是伏安特性。
回复
6楼
CT饱和,造成差流增大,易造成纵差保护误动
回复
7楼
CT饱和--励磁电流增大--二次电流减小(畸变)--保护不动作
回复