为什么使用先进制程工艺技术会减小CMOS集成电路对静电放电的防护能力呢？
第一为了克服热载流子注入(HCI)效应而发展出漏端轻掺杂（LDD)工艺与结构，LDD结构可以降低器件漏端在沟道下的峰值电场强度，从而改善因器件长时间使用带来的载流子注入 造成器件的I-V特性漂移的问题。但是LDD结构结深很浅，在深亚微米技术中，LDD结构结深只有0.02um，源和漏端的LDD结构相当于两个“尖端”。如果把这种具有LDD结构的器件用 于设计输出缓冲级电路，ESD（Electro Static Discharge - ESD）很容易通过“尖端放电”击毁它们。 第二为了降低CMOS器件漏端、源端和栅端的接触电阻和薄层方块电阻，而发展出的精神硅化物Polycide和Silicide工艺；在更先进的工艺中把Silicide与Polycide一起制造，称为 Salicide工艺，它可以有效的提高集成电路的运算速度。Salicide工艺技术可以在有源区和多晶硅表面形成低阻的Salicide薄膜。如果发生ESD
浅谈烧结工艺技术及其设计
自上世纪70年代以来，我国铁矿粉造块工业取得了很大的成就。目前，我国钢铁企业的发展有着比较大的空间，由于国内和国际市场竞争的日益激烈，烧结厂也面临着市场经济调节的大问题。现阶段需要快速解决的问题就是应该对烧结矿的质量进行不断的提高；烧结生产发展的未来趋势是逐步实现烧结机的大型化；提高自动化水平和生成率，努力降低烧结矿的成本；采用原料混匀技术，提高烧结的精料水平；采用小球烧结工艺，进一步强化烧结生产；加强环境治理，加速增加球团矿用量，改善我国高炉的炉料结构；充分利用国内国外的铁矿资源；继续对老旧设备进行改造更新；坚持生产高碱度烧结矿；调整和改善烧结生产布局。 烧结生成工艺及其设计 所谓“烧结”就是指粉状物料加热到熔点以下而粘结成固体的现象.烧结过程简单来说，就是把品位满足要求，但粒度却不满足的精矿与其他辅助原料混合后在烧结机上点火燃烧，重新造块，以满足高炉的要求。点火器就是使混合料在烧结机上燃烧的关键设备，控制好点火器的温度、负压等，混合料才能成为合格的烧结成品矿。 铁矿粉烧结是将细粒含铁原料与燃料、熔剂按一定比例混合，加水润湿、混匀而制成烧结料，然后布于烧
