采用G12硅片(边距210mm)的半片组件可以实现近600W的组件功率，该产品的缺点在于高电流导致的内部损耗高、热斑及接线盒可靠性风险显著提高，而优势被认为是显著提高了单串组件的功率从而降低系统端的成